半导体物理的知识大纲如下图所示： ...

本章知识点框架如图所示： ...

1. 非理想因素 在实际应用中，我们要考虑两个缺陷因素： 金属和半导体的功函数不同 氧化层缺陷 第一点在肖特基结中已经有所提及。金属的功函数小于半导体，故金属的电势大于半导体，二者之差表示为： 第二点主要是由于氧化物中实际是存在各种电荷的。这些电荷受到电场作用也会形成压 ...

1. MOS 结构 MOS 的结构如图 1-1 a） 所示： 图 1-1：a）MOS 结构；b）平行电容板 令 MOS 的电容为 ，氧化物的电容为 ，半导体内空间载荷区的电容为 ，那么可以得出三者的关系： 图 1-1 b）展示了平行电容板的结构以及常用公式 ...

1. 序言 在这一部分，我们要考虑一种新的接触：金属（Metal）氧化物（Oxide）半导体（Semiconductor）接触。分别取三种材料的首字母，金属氧化物半导体结构就被简称为 MOS 结构。由于金属和半导体被作为绝缘体的氧化物隔绝开来， MOS 结构可以等效一个电容。因此，我们可以得出 ...

1. Latex 公式 §1.1 公式 插入单个公式：

 {% mathjax %}xxx{% endmathjax %} 
插入整行公式且上下留行：
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本章知识点框架如图所示： ...

1. 零偏 §1.1 功函数 在前面的学习中我们知道： 对于固体而言，我们提出了一种势阱模型，即通常情况下电子被“困”在势阱中，要想从晶体中跃迁需要额外获得能量 相同温度下，对于不同的材料，它们的费米能级是不同的 费米能级的位置表征了材料导电能力的强弱 费米能级的影响因素有： ...

1. 序言 在前面的内容中我们讨论了 pn 结的各种特性，这是由同一种半导体材料组成的（比如硅），被称为同质结（Homojunction）。除此以外还有不同材料的两块半导体形成的异质结（Heterojunction），如砷化镓和硅形成的 pn 结。另外，金属和半导体接触也可以构成结，称为肖特 ...