1. 理想开关 vs. 功率半导体器件
半导体器件按照应用范围可以分为两大类,分别是:
- 集成电路芯片方向的微电子器件
 - 电力电子方向的功率半导体器件(Power Semiconductor Device)
 
我们关注的显然是后者。在电力电子系统中,功率半导体器件通常作为开关,在可控的频率内开关电流,以实现直流和交流电之间的转换。
理想开关的输出电流电压图如 1-1 所示。我们希望理想的开关有如下的特点:
- 导通状态(Conduction-State) 可以流过无穷大的电流,并且没有导通压降
 - 截止状态(Blocking-State) 可以承载无穷大的电压,并且完全阻断电流
 
图片 1-1:理想开关的输出电流电压波形
通过半导体物理的学习,我们可以推测,对于功率半导体而言,有以下缺点:
- 正向电流 
和反向电压 都不能无穷大  - 开启后存在正向导通压降 
,关断后存在漏电流  - 开关的本质其实是载流子的构建以及排出,因此开启和关断需要一定的时间,分别为
和  
图片 1-2:理想半导体器件的输出电流电压波形
这些缺点分别导致了器件的三种损耗,分别是:
- 导通损耗
 - 截止损耗
 - 开关损耗
 
因此,我们学习功率半导体器件的目的就很明确了:
- 理解为什么会有损耗
 - 明确损耗的分类
 - 如何减小损耗
 
2. 学习思路
当我们在谈论功率半导体器件时,通常从以下几个角度考虑:
- 额定功率
- 电压等级
 - 电流等级
 
 - 开关频率
- 导通损耗
 - 截止损耗
 - 开关损耗
 
 - 芯片材料
- Si
 - SiC
 - GaN
 
 - 可控/不可控
 
功率半导体器件的应用如图所示:
图片 2-1:功率半导体器件的应用范围
特别地,现代电力电子系统要求功率半导体器件具备以下特点:
- 高功率
 - 高开关频率
 - 低损耗
 
为此,我们将讨论以下器件:
- 功率二极管(Power Diode)
- pin 二极管(pin-Diode)
 - 肖特基二极管(Schottky Diode)
 
 - MOSFET
 - IGBT
 
对于每一个器件,我们将从以下几个方面讨论:
- 基本结构
 - 静态特性(Static Characteristic),即伏安特性
 - 动态特性(Dynamic Characteristic),即开关的瞬间,还要额外考虑电路
 - 功率损耗(Power Loss)
 - 改善工艺